免息炒股配资 中微半导体申请等离子体工艺方法及处理设备专利, 保证刻蚀结构形貌一致性

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种等离子体工艺方法及等离子体处理设备”的专利免息炒股配资，公开号CN119905397A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种等离子体工艺方法及等离子体处理设备，属于等离子体处理领域，为了保证刻蚀结构的形貌一致性，具体包括通入反应气体，将基片放入反应腔，激发等离子体后执行刻蚀步骤和修饰步骤，其中将激发等离子体的源射频的功率和控制方向的偏置射频的功率之和记为净功率，则使刻蚀步骤的净功率小于修饰步骤的净功率，刻蚀步骤用于推进刻蚀深度，修饰步骤用于修整刻蚀结构的侧壁形貌，通过该工艺方法及应用该工艺方法的设备，在进行深孔刻蚀时，能够保证良好的上下特征尺寸一致性。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1497条，此外企业还拥有行政许可71个。

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